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申请/专利权人：扬州大学
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118297018A
主分类号：G06F30/367
分类号：G06F30/367
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明公开了一种基于器件级与电路级相结合的微系统单粒子效应仿真方法，构建器件内核心单元的MOSFET电学模型，基于电学模型进行单粒子效应的器件级仿真，模拟粒子入射器件敏感区域时的单粒子瞬态脉冲电流；根据微系统的电路结构，并基于所述电学模型构建电路级仿真模型；将单粒子瞬态脉冲电流拟合为双指数电流源，作为故障注入到电路级仿真模型的敏感节点中，获得单粒子效应的电路级仿真结果。本方法结合了器件级仿真和电路级仿真的优点，提高单粒子效应的仿真速度与精度。
主权项：1.基于器件级与电路级相结合的微系统单粒子效应仿真方法，其特征在于，包括：构建器件内核心单元的MOSFET电学模型，基于电学模型进行单粒子效应的器件级仿真，模拟粒子入射器件敏感区域时的单粒子瞬态脉冲电流；根据所述微系统的电路结构，并基于所述电学模型构建电路级仿真模型；将所述单粒子瞬态脉冲电流拟合为双指数电流源，作为故障注入到所述电路级仿真模型的敏感节点中，获得单粒子效应的电路级仿真结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州大学 基于器件级与电路级相结合的微系统单粒子效应仿真方法
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