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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日：2022-05-21
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118302815A
主分类号：G11C16/34
分类号：G11C16/34;G11C16/14;G11C29/52;G11C16/04
优先权：["20220222 US 17/677,923"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：一种包括非易失性存储器单元的多个平面的非易失性存储装置能够同时编程多平面中的存储器单元。为了筛选一子组平面的编程过程发生的失败，将最快平面编程为特定数据状态的完成用作触发来测试将其他平面编程为不同数据状态发生的失败。在一个实施方案中，针对将其他平面编程为不同数据状态发生的失败进行的测试包括确定目标是编程为不同数据状态的其他平面的存储器单元是否已成功完成针对不同数据状态进行的编程的验证。停止针对那些使测试失败的平面的编程过程。
主权项：1.一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括：非易失性存储器单元的多个平面；和控制电路，所述控制电路连接到非易失性存储器单元的所述多个平面，所述控制电路被配置为：将多平面中的存储器单元编程为一组数据状态，包括执行针对所述数据状态进行的编程的验证；确定第一平面已成功完成针对所述一组数据状态中的第一数据状态进行的编程的验证；响应于确定所述第一平面已成功验证针对所述第一数据状态进行的编程，检查针对其他平面的所述一组数据状态中的第二数据状态进行的编程的验证的状态；以及当执行检查状态时，终止针对被确定为尚未成功验证所述第二数据状态的编程的所述其他平面中的任何平面进行的编程。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 具备平面独立筛选的非易失性存储器
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