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申请/专利权人：北极星特许集团有限责任公司
摘要：一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级与控制栅极层级的竖直堆叠。沟道材料沿着所述堆叠竖直地延伸。所述控制栅极层级包括导电区。所述导电区包含至少三种不同材料。电荷存储区邻近所述控制栅极层级。电荷阻挡区在所述电荷存储区与所述导电区之间。
主权项：1.一种存储器单元，其包括：导电栅极；所述导电栅极包含至少三种不同材料，其包含：第一材料，其具有在截面中的外周；第二材料，其直接邻近所述第一材料并且在成分上不同于所述第一材料；以及第三材料，其直接邻近所述第二材料并且在成分上不同于所述第一和第二材料中的每一个，所述第一和第三材料包括金属并且是导电的，所述第三材料在所述截面中沿着所述第一材料的全部的所述外周存在且在20℃下具有至少4.3eV的功函数，且所述第二材料经选择以降低沿着所述第一材料与所述第三材料的介面的应力；电荷阻挡区，其邻近所述导电栅极；电荷存储区，其邻近所述电荷阻挡区；隧穿材料，其邻近所述电荷存储区；以及沟道材料，其邻近所述隧穿材料，所述隧穿材料在所述沟道材料与所述电荷存储区之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北极星特许集团有限责任公司 具有含三种或大于三种不同材料的导电结构的组合件
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