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申请/专利权人：陕西科技大学
申请日：2022-05-06
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN114843356B
主分类号：H01L31/032
分类号：H01L31/032;H01L31/18;C23C14/16;C23C14/30;C23C16/30;C23C28/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.02#授权;2022.08.19#实质审查的生效;2022.08.02#公开
摘要：本发明属于可见光通信用光电探测器技术领域，公开了一种晶圆级III‑VI族化合物薄膜材料、制备方法和应用，本发明的晶圆级III‑VI族化合物薄膜材料包括包括绝缘衬底层，以及绝缘衬底层上依次叠层设置的III‑VI族化合物薄膜层和电极层；III‑VI族化合物薄膜层的化学式为In2X3，且其通过以下步骤设置于绝缘衬底层上：在绝缘衬底层上蒸镀一层In金属层；随后，采用化学气相沉积法，以X粉末为前驱体，将In金属层反应形成In2X3，即获得III‑VI族化合物薄膜层；其中，X为硫族元素。本发明结合了电子束蒸发镀膜和化学气相沉积技术、制备了晶圆级III‑VI族化合物薄膜材料。本发明的方法简单，易于操作。
主权项：1.一种晶圆级III-VI族化合物薄膜材料，其特征在于，包括绝缘衬底层，以及所述绝缘衬底层上依次叠层设置的III-VI族化合物薄膜层和电极层；所述III-VI族化合物薄膜层的化学式为In2X3；且所述晶圆级III-VI族化合物薄膜材料通过以下步骤制得：步骤1，采用电子束蒸发镀膜法，在绝缘衬底层上蒸镀一层In金属层，得到晶圆级In金属层；步骤2，采用化学气相沉积法，将晶圆级In金属层于标准大气压Ar气氛围下，于700~800℃的温度下退火10~30min；然后以X粉末为前驱体，于120~200℃的温度下退火10~30min，将In金属层反应形成In2X3，即得到晶圆级III-VI族化合物薄膜层；步骤3，采用分子束蒸发镀膜法，在晶圆级III-VI族化合物薄膜层上蒸镀电极层，使所述电极层与所述晶圆级III-VI族化合物薄膜层之间形成欧姆接触，随后进行退火处理，即获得所述晶圆级III-VI族化合物薄膜材料；其中，X为硫、硒和碲中的任意一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 陕西科技大学 晶圆级III-VI族化合物薄膜材料、制备方法和应用
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