申请/专利权人:华中科技大学
申请日:2024-03-18
公开(公告)日:2024-07-02
公开(公告)号:CN118281130A
主分类号:H01L33/26
分类号:H01L33/26;H01L33/00
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开
摘要:本发明属于半导体发光薄膜制备领域,公开了一种用于白光发射的Mn2+掺杂CsEuI3薄膜及其制备方法,该薄膜为Mn2+掺杂CsEuI3薄膜,薄膜中对应的CsI:EuI2:MnI2的摩尔比为1:1:0.001~0.1。本发明通过对薄膜的组成进行改进,向CsEuI3薄膜中引入Mn2+掺杂,并将掺杂比例控制为CsI:EuI2:MnI2摩尔比1:1:0.001~0.1,得到的Mn掺杂全无机钙钛矿结构白光发射薄膜即CsEuI3:Mn2+薄膜,除了具有白光发射且无毒的特点,还具有工作寿命长的特点,能够在长期工作下光谱形状保持不变。并且,本发明可通过三源共蒸发沉积方法得到上述CsEuI3:Mn2+薄膜,制备方法操作简易、工艺重复性高、生产效率高,适用于大规模产业化生产。
主权项:1.一种用于白光发射的铕基发光薄膜,其特征在于,该薄膜为Mn2+掺杂CsEuI3薄膜,薄膜中对应的CsI:EuI2:MnI2的摩尔比为1:1:0.001~0.1。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 华中科技大学 一种用于白光发射的Mn2+掺杂CsEuI3薄膜及其制备方法
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