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一种高Tg覆盖膜的制备方法 

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申请/专利权人:江西锦荣新材料有限公司

摘要:本发明公开了一种高Tg覆盖膜的制备方法,涉及微电子材料领域,包括以下步骤:步骤一、材料准备,将裁剪好的聚酰亚胺薄膜堆叠在一个存放框中,该存放框移入底座一侧的推放槽中,并将制备后的粘接剂倒入箱体中;步骤二、粘接剂涂覆,启动装置后,一个吸取组件中的第一吸板下移,将存放框中最上层的聚酰亚胺薄膜吸附后复位,并进行水平移动至平移组件的第二吸板上方,步骤三、收集及压合,另一个吸取组件将涂覆后的薄膜转移至另一个存放框中,本申请通过对裁剪后的薄膜进行平移,经过喷雾器下方时将粘接剂喷涂在薄膜表面,并进行固化,进而避免与薄膜表面产生摩擦力,防止磨损现象的发生,确保覆盖膜的性能。

主权项:1.一种高Tg覆盖膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤一、材料准备,将裁剪好的聚酰亚胺薄膜堆叠在一个存放框3中,该存放框3移入底座1一侧的推放槽101中,并将制备后的粘接剂倒入箱体7中;步骤二、粘接剂涂覆,启动装置后,一个吸取组件4中的第一吸板401下移,将存放框3中最上层的聚酰亚胺薄膜吸附后复位,并进行水平移动至平移组件5的第二吸板501上方,然后下移,此时第一吸板401的吸附由第二吸板501进行吸附,接着进行水平移动,在经过涂覆组件8的喷雾器802下方后完成粘接剂的涂覆,并由加热板1002进行固化处理;步骤三、收集及压合,另一个吸取组件4将涂覆后的薄膜转移至另一个存放框3中,在堆叠满后工作人员拉出并采用覆贝机进行离型纸的压合,完成高Tg覆盖膜的制备。

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权利要求:

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