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申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日：2024-03-22
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN117949767B
主分类号：G01R31/00
分类号：G01R31/00;G01N23/2251
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本申请提供了一种电容失效位置确定方法及装置，其中，该方法包括：确定待测电容的目标侧面和目标连接点，目标侧面指的是待测电容的电容结构的映射面，目标连接点指的是待测电容的预设电极所对应的外部连接点；确定目标侧面对应的待测侧面以及目标连接点对应的待连接点，待测侧面指的是对目标侧面进行研磨而得到的暴露电容结构的一面，待连接点指的是对外部连接点进行去层而得到的暴露金属材质的一连接点；将扫描电子显微镜的纳米探针连接至待连接点，通过扫描电子显微镜的电子束扫描待测侧面，以得到待测电容的检测电流图像；通过比较检测电流图像与预设电流图像，来预估待测电容的失效位置。
主权项：1.一种电容失效位置确定方法，其特征在于，所述方法包括：确定待测电容的目标侧面和目标连接点，所述目标侧面指的是待测电容的电容结构的映射面，所述目标连接点指的是所述待测电容的预设电极所对应的外部连接点；确定所述目标侧面对应的待测侧面以及所述目标连接点对应的待连接点，所述待测侧面指的是对所述目标侧面进行研磨而得到的暴露所述电容结构的一面，所述待连接点指的是对所述外部连接点进行去层而得到的暴露金属材质的一连接点；将扫描电子显微镜的纳米探针连接至所述待连接点，通过扫描电子显微镜的电子束扫描所述待测侧面，以得到所述待测电容的检测电流图像；通过比较所述检测电流图像与预设电流图像，来预估所述待测电容的失效位置；所述电容结构包括绝缘衬底、位于所述绝缘衬底上方的金属层以及位于所述绝缘衬底下方的下极板，所述绝缘衬底中设置有上极板，所述待测电容包括第一电极与第二电极，所述预设电极指的是第一电极或第二电极，所述第一电极由所述上极板通过所述金属层引出，所述第二电极由所述下极板引出，其中，所述待连接点指的是对所述外部连接点进行去层而得到的暴露金属材质的金属层或下极板上的一连接点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 一种电容失效位置确定方法及装置
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