申请/专利权人：络明芯微电子(厦门)有限公司

申请日：2019-08-19

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN110445483B

主分类号：H05B45/325

分类号：H05B45/325;H05B45/37

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2024.05.14#著录事项变更;2019.12.06#实质审查的生效;2019.11.12#公开

摘要：本发明公开了一种PWM信号产生及误差校正电路，包括放大器OP1，放大器OP2，比较器CMP1，比较器CMP2，PMOS场效应管M1‑M16，电阻R14，电阻R_FRE，可变电阻R15‑R16，电阻R17，电容C1，匹配电阻模块电路，电流漏IDC，以及14比特计数器。与现有技术相比，本发明的PWM信号产生及误差校正电路，采用变动的电阻，变动的电流产生三角波电压的方法，对电流源的电流变化较小，对于较低频率的PWM信号，不需要大电容，可节省版图面积，节省芯片成本。可以实现较大PWM信号频率范围。而且，本发明中，综合考虑两个电压点上PWM信号占空比，对占空比函数进行校正，可以较为精确的校正PWM信号在0％‑100％范围内所有占空比误差。

主权项：1.PWM信号产生及误差校正电路，其特征在于：包括放大器OP1，放大器OP2，比较器CMP1，比较器CMP2，PMOS场效应管M1-M16，电阻R14，电阻R_FRE，可变电阻R15-R16，电阻R17，电容C1，匹配电阻模块电路，电流漏IDC，以及14比特计数器；放大器OP1的正输入端连接基准电压VREF1，放大器OP1的输出端连接PMOS场效应管M15的栅极，PMOS场效应管M1、M2、M15和电阻R14串接于电源VCC与地之间，放大器OP1的负输入端连接至M15与电阻R14之间；PMOS场效应管M3、M4和可变电阻R15串接于电源VCC与地之间；PMOS场效应管M5、M6和可变电阻R16串接于电源VCC与地之间；PMOS场效应管M7和PMOS场效应管M8组成PMOS折叠共源共栅电流源；PMOS场效应管M7、M8、M16串接于电源VCC与匹配电阻模块电路的相应输入节点之间；PMOS场效应管M1、M3、M5和M7的栅极分别连接至PMOS场效应管M15的漏极；PMOS场效应管M2、M4、M6和M8的栅极分别连接至折叠共源共栅电流源的偏置电压VREF2；放大器OP2的正输入端连接电压V3，电压V3为用于设置三角波频率的设置电压，放大器OP2的输出端连接PMOS场效应管M14的栅极，PMOS场效应管M9、M10、M14和电阻R_FRE串接于电源VCC与地之间，放大器OP2的负输入端连接至M14与电阻R_FRE之间，且放大器OP2的负输入端还连接至电流漏IDC，电流漏IDC用于设置电阻R_FRE开路情况下PWM的频率；PMOS场效应管M11和PMOS场效应管M12是以PMOS场效应管M9为中心一一对称匹配的PMOS折叠共源共栅电流源；PMOS场效应管M11、M12、M13串接于电源VCC与匹配电阻模块电路的相应输入节点之间；PMOS场效应管M9和M11的栅极分别连接至PMOS场效应管M14的漏极；PMOS场效应管M10和M12的栅极分别连接至折叠共源共栅电流源的偏置电压VREF3；14比特计数器的14个输出端分别对应连接PMOS场效应管M13的14个管子的栅极，PMOS场效应管M13的14个输出端分别连接至匹配电阻模块电路的14个输入节点,PMOS场效应管M13的输出端还连接一RC滤波器的输入端，此RC滤波器的输出连接到比较器CMP1的负输入端和比较器CMP2的正输入端，比较器CMP1的正输入端连接电压V1，电压V1用于设置三角波的最高电压，比较器CMP1的输出端连接14比特计数器的复位端，比较器CMP2的负输入端连接占空比设置引脚，比较器CMP2的输出端输出PWM信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 络明芯微电子(厦门)有限公司 PWM信号产生及其误差校正电路

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD