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申请/专利权人：重庆大学;西安交通大学
申请日：2022-12-05
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN115715823B
主分类号：A61L27/04
分类号：A61L27/04;A61L27/34;A61L27/54;A61L27/50;A61L27/32;A61L27/30
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2023.03.17#实质审查的生效;2023.02.28#公开
摘要：本发明公开了一种载神经生长因子的可降解镁神经导管，其包括镁管，镁管的内外表面均设置有复合涂层，复合涂层的外表面设置有载神经生长因子的PLGA纳米微球。本发明还公开了该可降解镁神经导管的制备方法。本申请中的可降解镁神经导管，通过在镁管的外表面羟基磷灰石石墨烯复合涂层，以及在复合涂层的外表面设置有载神经生长因子的PLGA纳米微球，该可降解镁神经导管具有足够的力学性能、良好的神经生长引导以及与神经修复相匹配的降解速率，有效改善了神经修复过程中的神经信号传递功能，促进了雪旺细胞的增殖和轴突的生长，为神经再生提供良好的微环境，解决了目前神经修复导管普遍存在的管内再狭窄、导电性弱等问题。
主权项：1.一种载神经生长因子的可降解镁神经导管，其特征在于，其包括镁管，所述镁管的内外表面均设置有复合涂层，所述复合涂层的外表面设置有载神经生长因子的PLGA纳米微球；所述复合涂层为纳米尺寸的羟基磷灰石石墨烯复合材料；所述复合涂层的厚度为1-20μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆大学;西安交通大学 一种载神经生长因子的可降解镁神经导管及其制备方法
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