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申请/专利权人：中国地质大学(武汉)
申请日：2022-08-23
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN115435750B
主分类号：G01C9/00
分类号：G01C9/00;G01V13/00;G01V3/40
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.12.23#实质审查的生效;2022.12.06#公开
摘要：本发明提供一种dIdD磁力仪不水平度检测方法，包括：获取初始时刻的磁通门传感器测量的初始总场强度在XYZ坐标系下的分量X0、Y0和Z0；获取任一测量周期内所述dIdD磁力仪的五个测量值Fi+，Fi‑，Fd+，Fd‑和F；Fi+和Fi‑均为向Ci线圈施加强度为Ai的正反偏置场得到的合成场，Fd+和Fd‑均为向Cd线圈施加强度为Ad的正反偏置场得到的合成场；获取所述任一测量周期对应时刻所述磁通门传感器测量的总场强度在XYZ坐标系下的分量值Fx、Fy、Fz；基于上述获取数据，确定dIdD磁力仪的偏置磁场不水平度ε0。实现了直接检测线圈磁场的水平性以供有效便利地对dIdD数据进行补偿。
主权项：1.一种dIdD磁力仪不水平度检测方法，所述dIdD磁力仪包括正交球形线圈和总场传感器，其中，所述正交球形线圈由磁倾角Ci线圈和磁偏角Cd线圈组成，所述磁倾角Ci线圈和所述磁偏角Cd线圈相互正交，所述总场传感器用于测量由地磁总场和偏置场叠加的合成场及无偏场，其特征在于，包括：获取初始时刻的磁通门传感器测量的初始总场强度在XYZ坐标系下的分量X0、Y0和Z0；其中，初始总场强度分量X0、Y0和Z0为所述dIdD磁力仪完成初始线圈对准时对应的初始时刻测量的；获取任一测量周期内所述dIdD磁力仪的五个测量值Fi+，Fi-，Fd+，Fd-和F；其中，Fi+和Fi-分别为向所述磁倾角Ci线圈施加强度为Ai的正反偏置场得到的正向合成场和负向合成场，Fd+和Fd-分别为向所述磁偏角Cd线圈施加强度为Ad的正反偏置场得到的正向合成场和负向合成场，F为无偏场；获取所述任一测量周期对应时刻所述磁通门传感器测量的总场强度在XYZ坐标系下的分量值Fx、Fy、Fz；基于初始总场强度分量X0、Y0和Z0，总场强度的分量值Fx、Fy和Fz，所述五个测量值Fi+，Fi-，Fd+，Fd-和F，以及偏置场强度Ai和Ad，确定所述dIdD磁力仪的偏置磁场不水平度ε0。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国地质大学(武汉) dIdD磁力仪不水平度检测方法、装置和电子设备
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