龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日：2023-10-12
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263294A
主分类号：H01L29/40
分类号：H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335
优先权：["20221228 US 18/147,197"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种半导体装置包括具有上表面和沟道的半导体衬底、在所述半导体衬底的所述上表面上方的源极电极和漏极电极、在所述源极电极与所述漏极电极之间的钝化层、在所述钝化层上方的第一介电层、在所述源极电极与所述漏极电极之间的栅极电极，以及邻近于所述栅极电极的导电场板。所述钝化层包括下部钝化子层和在所述下部钝化子层上方的上部钝化子层。所述栅极电极包括延伸穿过所述钝化层的下部部分。所述导电场板包括第一部分和悬垂部分，所述第一部分具有延伸穿过所述上部钝化子层但不延伸穿过所述下部钝化子层的凹进区，所述悬垂部分在所述第一介电层的上表面上方延伸。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有上表面和沟道；源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极在所述半导体衬底的所述上表面上方，其中所述源极电极和所述漏极电极电耦合到所述沟道，且所述沟道在所述源极电极与所述漏极电极之间延伸；钝化层，所述钝化层在所述半导体衬底的所述上表面上方且在所述源极电极与所述漏极电极之间，其中所述钝化层包括在所述半导体衬底的所述上表面上方的下部钝化子层，以及在所述下部钝化子层上方的上部钝化子层；第一介电层，所述第一介电层在所述钝化层上方；栅极电极，所述栅极电极在所述源极电极与所述漏极电极之间在所述半导体衬底的所述上表面上方，其中所述栅极电极包括延伸穿过所述第一介电层和所述钝化层的下部部分；以及导电场板，所述导电场板邻近于所述栅极电极，其中所述导电场板包括第一部分和悬垂部分，所述第一部分具有延伸穿过所述上部钝化子层但不延伸穿过所述下部钝化子层的凹进区，所述悬垂部分在所述第一介电层的上表面上方延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恩智浦美国有限公司 具有含凹进区和悬垂部分的场板的半导体装置及制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号