申请/专利权人:旺宏电子股份有限公司
申请日:2023-01-10
公开(公告)日:2024-06-28
公开(公告)号:CN118262759A
主分类号:G11C11/4063
分类号:G11C11/4063
优先权:["20221228 US 18/147,015"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.28#公开
摘要:本公开提供一种存储器单元及存储器装置,该存储器单元包括:一写入晶体管;以及一读取晶体管,耦接至该写入晶体管,该写入晶体管与该读取晶体管耦接于一存储节点,该存储节点用于存储数据;其中,该写入晶体管与该读取晶体管中至少一个具有一阈值电压调整层,该写入晶体管及或该读取晶体管的一阈值电压是可调整的。
主权项:1.一种存储器单元,包括:一写入晶体管;以及一读取晶体管,耦接至该写入晶体管,该写入晶体管与该读取晶体管耦接于一存储节点,该存储节点用于存储数据;其中,该写入晶体管与该读取晶体管中至少一个具有一阈值电压调整层,该写入晶体管及或该读取晶体管的一阈值电压是可调整的。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 旺宏电子股份有限公司 存储器单元及存储器装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。