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申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
摘要：本申请公开了一种屏蔽栅功率晶体管及其制备方法，包括衬底、外延层，设置于衬底上，包括背向衬底一侧的第一表面，以及沿第一表面分布的多个元胞部，元胞部内形成有屏蔽栅结构和控制栅结构，其中，控制栅结构包括控制栅和形成于控制栅的阻容部，屏蔽栅结构包括本体部，本体部沿垂直于自身长度方向的截面中，沿远离控制栅结构的方向的尺寸呈阶梯状递减，单位面积内阻容部与本体部之间的寄生电容小于单位面积内控制栅与本体部之间的寄生电容。本申请提供的屏蔽栅功率晶体管中控制栅与屏蔽栅结构之间的寄生电容大大减小，从而减小了屏蔽栅功率晶体管的开关损耗，提升了屏蔽栅功率晶体管的开关速度，使得屏蔽栅功率晶体管的性能得到提升。
主权项：1.一种屏蔽栅功率晶体管，其特征在于，包括：衬底；外延层，设置于所述衬底上，包括背向所述衬底一侧的第一表面，以及沿所述第一表面分布的多个元胞部，所述元胞部内形成有屏蔽栅结构和控制栅结构，其中，所述控制栅结构包括控制栅和形成于所述控制栅的阻容部，所述屏蔽栅结构包括本体部，所述本体部沿垂直于自身长度方向的截面中，沿远离所述控制栅结构的方向的尺寸呈阶梯状递减，单位面积内所述阻容部与所述本体部之间的寄生电容小于单位面积内所述控制栅与所述本体部之间的寄生电容。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 屏蔽栅功率晶体管及其制备方法
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