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一种延长单晶炉单炉运行时长的硅料复投方法 

申请/专利权人:曲靖晶澳光伏科技有限公司

申请日:2024-03-28

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118256985A

主分类号:C30B15/02

分类号:C30B15/02;C30B29/06;C30B15/20;C30B15/14

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明提供一种延长单晶炉单炉运行时长的硅料复投方法,包括连续复投多筒硅料,复投每筒硅料包括加料和化料,在加料以及化料过程中通过位于坩埚外侧的主加热器以及位于所述坩埚下方的底部加热器进行加热,其中,在加料时所述坩埚处于加料埚位,在加料完成后将所述坩埚提升至化料埚位进行化料,埚位表示所述坩埚底部的埚托的底面与所述底部加热器的上表面之间的距离,所述坩埚处于所述化料埚位时所述坩埚的上沿高于所述主加热器的上沿且所述坩埚中的硅料不接触水冷屏底端。根据本发明实施例的延长单晶炉单炉运行时长的硅料复投方法,能够有效改善坩埚上沿变形塌边的问题,延长坩埚运行时长,减少颗粒料炸硅。

主权项:1.一种延长单晶炉单炉运行时长的硅料复投方法,其特征在于,包括连续复投多筒硅料,复投每筒硅料包括加料和化料,在加料以及化料过程中通过位于坩埚外侧的主加热器以及位于所述坩埚下方的底部加热器进行加热,其中,在加料时所述坩埚处于加料埚位,在加料完成后将所述坩埚提升至化料埚位进行化料,埚位表示所述坩埚底部的埚托的底面与所述底部加热器的上表面之间的距离,所述坩埚处于所述化料埚位时所述坩埚的上沿高于所述主加热器的上沿且所述坩埚中的硅料不接触水冷屏底端。

全文数据:

权利要求:

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