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申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明涉及一种集成嵌入式源沟道低势垒二极管的非对称沟槽SiC‑MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在传统非对称沟槽SiC‑MOSFET器件的P+屏蔽区中刻蚀一个源极沟槽多晶硅和源极N+区，同时在沟槽源极旁引入低势垒的P‑base沟道，P‑base耗尽层电荷使能带发生弯曲，从而在SiCSiO2界面处形成由JFET区指向N+源区的LBD。LBD开启压降为1.9V，约为PN结体二极管的23。通过LBD对空穴的抑制作用消除双极退化效应。此外，本发明将部分沟槽栅变为虚拟栅，减小栅极覆盖漂移区的面积，降低栅漏电荷和反馈电容，提高了器件的开关速度，降低了开关损耗。
主权项：1.一种集成嵌入式源沟道低势垒二极管的非对称沟槽SiC-MOSFET器件，其特征在于：该器件包括：N+衬底区14；漂移区13，位于所述N+衬底区13上表面；P+屏蔽层5，位于所述N+衬底区13上表面；N-CSL3，位于P+屏蔽层5中，且与所述N+衬底区13上表面接触；P-base10，位于所述N-CSL3上表面；源沟槽N+源区6，位于所述P-base10上表面；源极P+区7，位于所述P-base10上表面；栅沟槽N+源区8，位于所述P-base10上表面，且与所述源极P+区7相邻；沟槽源极2，位于P+屏蔽层5和N-CSL3之间，且通过沟槽源氧化层4与所述P+屏蔽层5、N-CSL3、P-base10和源沟槽N+源区6相隔；屏蔽栅12，位于P+屏蔽层5和N-CSL3之间，且通过栅氧化层11与所述P+屏蔽层5和N-CSL3相隔；沟槽栅极9，位于所述屏蔽栅12上方，且通过所述栅氧化层11与所述屏蔽栅12、P+屏蔽层5、N-CSL3、P-base10和栅沟槽N+源区8相隔；源极1，位于该器件顶部；以及漏极15，位于所述N+衬底区14下表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 集成嵌入式源沟道低势垒二极管的非对称沟槽SiC-MOSFET器件
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