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太阳能电池的双缓冲层的制备方法及太阳能电池 

申请/专利权人:比亚迪股份有限公司

申请日:2022-12-28

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118263343A

主分类号:H01L31/0352

分类号:H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/0392

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明公开了一种太阳能电池的双缓冲层的制备方法及太阳能电池,包括:在铟蒸汽的氛围下,制备CIGS吸收层;在硫蒸汽的氛围下,在CIGS吸收层的表面沉积KF,以在CIGS吸收层的表面形成一层KInS,Se2化合物;将形成有KInS,Se2化合物的CIGS吸收层,置于镉源和氨水的混合液中反应,以在CIGS吸收层的表面形成第一缓冲层;第一缓冲层为CdIn2S,Se,OH4化合物;将形成有第一缓冲层的CIGS吸收层置于硫源溶液中,反应后,在第一缓冲层上形成有第二缓冲层,第二缓冲层为CdS薄膜。本发明的制备方法,具备两层缓冲层在硫化镉和CIGS吸收层形成CdIn2S,Se,OH4化合物作为第一缓冲层,保证在第一缓冲层表面形成更加均匀且致密的第二缓冲层,有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

主权项:1.一种太阳能电池的双缓冲层的制备方法,其特征在于,包括:在铟蒸汽的氛围下,制备CIGS吸收层;在硫蒸汽的氛围下,在所述CIGS吸收层的表面沉积KF,以在所述CIGS吸收层的表面形成一层KInS,Se2化合物;将形成有所述KInS,Se2化合物的所述CIGS吸收层,置于镉源和氨水的混合液中反应,以在所述CIGS吸收层的表面形成第一缓冲层;所述第一缓冲层为CdIn2S,Se,OH4化合物;将形成有所述第一缓冲层的所述CIGS吸收层置于硫源溶液中,反应后,在所述第一缓冲层上形成有第二缓冲层,所述第二缓冲层为CdS薄膜。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 比亚迪股份有限公司 太阳能电池的双缓冲层的制备方法及太阳能电池

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