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申请/专利权人：华中科技大学
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118258662A
主分类号：G01N1/28
分类号：G01N1/28;G01N23/2202
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供了一种利用聚焦离子束制备纳米级纳米级小孔存储器透射电镜样品的方法。本发明的透射电镜样品的方法，小孔的直径与第二保护层、第四保护层的宽度相同，即第二保护层、第四保护层均为细条状保护层；而第一保护层、第三保护层的宽度大于小孔的直径，即第一保护层、第三保护层均为宽条状保护层；本方案中采用多次镀保护层即第一保护层、第二保护层、第三保护层、第四保护层的方法，在常规铂保护层上下分别多镀细条状保护层即第二保护层、第四保护层，细条状保护层的宽度和小孔直径相当，且正好位于小孔正上方，这样在后续精修过程中就以细条状保护层为中心定位，可以确保减薄到最后小孔结构仍然在样品中。
主权项：1.一种利用聚焦离子束制备纳米级小孔存储器透射电镜样品的方法，所述存储器表面具有小孔，其特征在于，包括以下步骤：采用扫描电镜确定所述存储器表面的小孔位置；在所述存储器表面沉积得到第一保护层，所述第一保护层覆盖所述小孔；在所述第一保护层上沉积得到第二保护层；在所述第二保护层上沉积得到第三保护层；在所述第三保护层上沉积得到第四保护层；以第四保护层为中心，采用聚焦离子束粗切、精修和截断得到含有小孔、第一保护层、第二保护层、第三保护层、第四保护层的样品；将所述样品用Pt焊接在铜载网上；以第四保护层为中心对所述样品上下两面进行减薄，直至暴露出小孔；其中，所述小孔的直径与所述第二保护层、第四保护层的宽度相同，所述小孔的直径小于所述第一保护层、第三保护层的宽度；所述小孔在所述存储器表面的投影为圆，所述圆的圆心与所述第一保护层、第二保护层、第三保护层、第四保护层在所述存储器表面的投影的几何中心重合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种利用聚焦离子束制备纳米级小孔存储器透射电镜样品的方法
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