申请/专利权人:苏州华太电子技术股份有限公司
申请日:2022-12-27
公开(公告)日:2024-06-28
公开(公告)号:CN118259124A
主分类号:G01R31/26
分类号:G01R31/26;G01R31/52
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.28#公开
摘要:本申请公开了一种漏电流测试方法、装置及系统,涉及半导体器件技术领域。漏电流测试方法,包括:获取待测试半导体器件的击穿电压值;将击穿电压值乘以第一预设值,得到测试电压值,第一预设值根据击穿电压测试曲线正常的半导体器件的击穿电压值,与击穿电压测试曲线异常的半导体器件的击穿电压值的比值确定;根据测试电压值对待测试半导体器件进行漏电流测试,得到漏电流测试值;根据漏电流测试值,确定待测试半导体器件的漏电流性能是否正常。根据本申请实施例,能够筛选出由于自身漏电导致可能存在失效风险的半导体器件。
主权项:1.一种漏电流测试方法,其特征在于,包括:获取待测试半导体器件的击穿电压值;将所述击穿电压值乘以第一预设值,得到测试电压值,第一预设值根据击穿电压测试曲线正常的半导体器件的击穿电压值,与击穿电压测试曲线异常的半导体器件的击穿电压值的比值确定;根据所述测试电压值对所述待测试半导体器件进行漏电流测试,得到漏电流测试值;根据所述漏电流测试值,确定所述待测试半导体器件的漏电流性能是否正常。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 苏州华太电子技术股份有限公司 漏电流测试方法、装置及系统
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