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基于模型的净化气体流 

申请/专利权人:应用材料公司

申请日:2022-07-13

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118265816A

主分类号:C30B25/16

分类号:C30B25/16;C23C16/52

优先权:["20220104 US 17/568,404"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本文的实施方式提供了一种处理半导体基板的方法。本文描述的方法可包括以下步骤:接收与处理腔室的第一几何硬件配置相对应的第一输入,接收与处理腔室的第一工艺配方相对应的第二输入,基于第一输入及第二输入确定处理腔室的第一净化气体流速,经由第一传感器测量处理腔室的沉积特性,基于第一输入、第二输入及所测量的沉积特性确定第二净化气体流速,第二净化气体流速不同于第一净化气体流速,以及在沉积工艺期间以第二净化气体流速流动净化气体。

主权项:1.一种处理半导体基板的方法,包含以下步骤:接收与处理腔室的第一硬件配置相对应的第一输入;接收与所述处理腔室的第一工艺配方相对应的第二输入;在所述处理腔室中以第一净化气体流速使用所述第一工艺配方执行第一沉积工艺;经由第一传感器测量所述第一沉积工艺的沉积特性;基于所述第一输入、所述第二输入、及所述测量的沉积特性确定第二净化气体流速,所述第二净化气体流速不同于所述第一净化气体流速;和以所述第二净化气体流速执行第二沉积工艺。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 应用材料公司 基于模型的净化气体流

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