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申请/专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263303A
主分类号：H01L29/739
分类号：H01L29/739;H01L29/423
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请提供一种双栅场截止型绝缘栅双极型晶体管，该双极型晶体管通过栅极金属层、副栅极金属层、发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层、发射极沟槽绝缘介质层形成正极发射极导电类型沟槽结构、负极发射极导电类型沟槽结构；双极型晶体管正向导通和关断时，通过正极发射极导电类型沟槽结构和负极发射极导电类型沟槽结构处理轻掺杂第二导电类型耗尽区的空穴。本申请提供的双极型晶体管在正向导通时提高轻掺杂导电类型耗尽区的空穴势垒，增强漂移区的空穴，增加对应的载流子存储效应，降低导通压降，在关断时，通过恢复轻掺杂导电耗尽区的空穴，提高了空穴的抽取速度，降低关断产生的损耗。
主权项：1.一种双栅场截止型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：集电极金属层以及依次堆叠在所述集电极金属层上的重掺杂第二导电类型集电区、重掺杂第一导电类型场截止区及轻掺杂第一导电类型漂移区；所述轻掺杂第一导电类型漂移区上设置有轻掺杂第二导电类型漂移区、两个发射极沟槽绝缘介质层及轻掺杂第二导电类型耗尽区；所述轻掺杂第二导电类型漂移区上设置有重掺杂第一导电类型载流子存储区；所述重掺杂第一导电类型载流子存储区上设置有重掺杂第二导电类型基区；所述重掺杂第二导电类型基区上设置有重掺杂第一导电类型发射区和发射极金属层；每个发射极沟槽绝缘介质层上设置有发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层，且每个发射极沟槽绝缘介质层包裹部分发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层；被第一发射极沟槽绝缘介质层包裹的第一发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层上设置有栅极金属层，被第二发射极沟槽绝缘介质层包裹的第二发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层设置有副栅极金属层；所述轻掺杂第二导电类型耗尽区上设置有重掺杂第二导电类型发射区；所述重掺杂第二导电类型发射区上设置有发射极金属层；其中，位于所述栅极金属层下的发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层与第一发射极沟槽绝缘介质层形成正极发射极导电类型沟槽结构，位于所述副栅极金属层下的发射极沟槽重掺杂第一导电类型多晶硅层与第二发射极沟槽绝缘介质层形成负极发射极导电类型沟槽结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学 一种双栅场截止型绝缘栅双极型晶体管
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