申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2024-03-05

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN118265297A

主分类号：H10B41/30

分类号：H10B41/30;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.28#公开

摘要：本发明公开了一种分栅快闪存储器，L型擦除栅的第一竖直部分自对准形成于第一开口的侧面，第二横向部分的侧面由形成于第一竖直部分的第二侧面的第一侧墙的第二侧面自对准定义；浮栅位于第二横向部分的底部，浮栅的第二侧面由形成于浮栅侧面的第二侧墙的第二侧面自对准定义；源区由浮栅的第二侧面自对准定义；浮栅的第二侧面形成有第三侧墙，源区顶部的源极线由第一至第三侧墙的第二侧面自对准定义。第一竖直部分的第一侧面自对准定义自对准定义第一栅极间介质层和浮栅的第一侧面，字线栅自对准形成于位于浮栅的第一侧面的第四侧墙的第一侧面以及第四侧墙顶部的第一竖直部分的第一侧面。本发明还公开了一种分栅快闪存储器的制造方法。

主权项：1.一种分栅快闪存储器，其特征在于，包括：第一开口；在所述第一开口的两个侧面处分别形成有L型擦除栅；所述L型擦除栅包括连接为一个整体的第一竖直部分和第二横向部分；所述第一竖直部分的第一侧面和所述第二横向部分的底部表面相连接；所述第一竖直部分的第二侧面和所述第二横向部分的顶部表面相连接；所述第一竖直部分的顶部表面和所述第一开口的顶部表面相平；所述第一竖直部分由所述第一开口的侧面自对准定义；第一侧墙自对准形成于所述第一竖直部分的第二侧面处；所述第二横向部分的底部表面和浮栅之间间隔有第一栅极间介质层；所述第一侧墙的第二侧面自对准定义出所述第二横向部分的侧面以及所述第一栅极间介质层的第二侧面；第二侧墙自对准形成于所述第一侧墙的第二侧面、所述第二横向部分的侧面和所述第一栅极间介质层的第二侧面处；所述浮栅的第二侧面由所述第二侧墙的第二侧面自对准定义；所述浮栅和底部的半导体衬底之间间隔有第一栅介质层；源区形成于所述第一开口内的两个相邻的所述浮栅的第二侧面自对准定义的所述半导体衬底的表面区域中；第三侧墙自对准形成于所述浮栅的第二侧面，所述第三侧墙还延伸到所述第二侧墙的第二侧面上；所述第一开口内的所述第一侧墙的第二侧面、所述第二侧墙的第二侧面和所述第三侧墙的第二侧面围成第二开口；源极线形成于所述第二开口内，所述源极线的底部和所述源区接触，所述源极线的顶部表面低于所述第二开口的顶部表面；第一顶部介质层覆盖在所述第一竖直部分的顶部表面上；第二顶部介质层形成于所述源极线的顶部表面之上的所述第二开口中；所述第一栅极间介质层的第一侧面和所述浮栅的第一侧面由所述第一竖直部分的第一侧面自对准定义；第四侧墙自对准形成于所述第一栅极间介质层的第一侧面和所述浮栅的第一侧面，所述第四侧墙还延伸到所述第一竖直部分的第一侧面；字线栅自对准形成于所述第四侧墙的第一侧面以及所述第四侧墙顶部的所述第一竖直部分的第一侧面；所述字线栅和底部的半导体衬底之间间隔有第二栅介质层；漏区形成于所述字线栅外的所述半导体衬底中且所述漏区和所述字线栅的第一侧面自对准。

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