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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2020-12-31
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN114689222B
主分类号：G01L1/20
分类号：G01L1/20;G01L9/02;G01L25/00;G01L27/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2022.07.19#实质审查的生效;2022.07.01#公开
摘要：本发明公开一种感测装置及对应的测试方法，所述装置包括：压阻传感器、自测结构以及控制模块；所述控制模块包括：磁性单元，所述磁性单元用于提供均匀磁场，使得所述压阻传感器处于所述均匀磁场中；以及CPU，与磁性单元及所述压阻传感器相连，所述CPU用于控制所述磁性单元产生所述均匀磁场，以及输出控制信号至所述自测结构，所述自测结构在磁场作用下产生压力，所述压力使得所述敏感层发生形变，进而使得所述压敏电阻的阻值发生变化，所述电极输出代表所述压敏电阻阻值变化的电压值，所述CPU接收所述电压值，并根据所述电压值判断所述压阻传感器的性能参数是否正常。本发明具有传感器性能自测功能。
主权项：1.一种感测装置，其特征在于，所述感测装置包括：压阻传感器，所述压阻传感器包括：第一保护层；第二保护层；敏感层，夹设于所述第一保护层及所述第二保护层之间；压敏电阻，设置于所述敏感层内；电极，设置于所述第二保护层的表面，且与所述压敏电阻相连；自测结构，设置于所述第一保护层；所述自测结构为线圈结构，所述线圈结构覆盖所述敏感层；以及控制模块包括：磁性单元，所述磁性单元包括相对设置的磁体，所述磁体对称设置于所述压阻传感器的两侧，所述磁性单元用于提供均匀磁场，使得所述压阻传感器处于所述均匀磁场中；以及CPU，与磁性单元及所述压阻传感器相连，所述CPU用于控制所述磁性单元产生所述均匀磁场，以及输出控制信号至所述自测结构，所述自测结构在磁场作用下产生压力，所述压力使得所述敏感层发生形变，进而使得所述压敏电阻的阻值发生变化，所述电极输出代表所述压敏电阻阻值变化的电压值，所述CPU接收所述电压值，并根据所述电压值判断所述压阻传感器的性能参数是否正常；多路开关，连接在所述磁性单元与所述CPU之间，所述多路开关的一端与所述磁性单元、所述自测结构及所述电极相连，另一端与所述CPU相连，所述多路开关用于控制所述磁性单元开启及关闭，以及控制所述压阻传感器在正常工作模式与测试模式之间切换。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 感测装置及对应的测试方法
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