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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种在BCD和SONOS集成平台中制备LDMOS器件的方法，在衬底上形成埋层、外延层、漂移区和阱区；在靠近源端一侧定义一阶场氧图形，然后采用局部热氧化工艺在漂移区表面形成一阶场氧；在一阶场氧表面形成ONO层；在靠近源端一侧定义二阶场氧图形，同时在靠近漏端一侧定义漏端图形；刻蚀去除ONO层，并根据目标台阶高度差对ONO层的底层进行过量刻蚀以使一阶场氧变成二阶场氧，漏端开口区域裸露出来；利用湿法清洗工艺去除刻蚀后的杂质；淀积多晶硅并刻蚀形成多晶硅场板，多晶硅场板沿着二阶场氧的侧壁延伸覆盖到场氧的部分顶面；进行源漏离子注入形成源漏区。本发明制备的LDMOS器件二阶场氧可控，漏端长度减小，能够实现更小导通电阻Rsp，提升了器件竞争力。
主权项：1.一种在BCD和SONOS集成平台中制备LDMOS器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上方形成外延层，对所述外延层进行光刻和离子注入形成N型漂移区和位于所述N型漂移区两侧的P型阱区；步骤二、在靠近源端一侧光刻定义一阶场氧图形，然后采用局部热氧化工艺在所述N型漂移区表面形成一阶场氧；步骤三、在所述一阶场氧表面形成ONO层；步骤四、在靠近所述源端一侧光刻定义二阶场氧图形，同时在靠近漏端一侧定义漏端图形；步骤五、刻蚀去除所述ONO层，并根据目标台阶高度差对所述ONO层的底层进行过量刻蚀以使所述一阶场氧变成二阶场氧，所述漏端开口区域裸露出来；步骤六、利用湿法清洗工艺去除刻蚀后的杂质；步骤七、淀积多晶硅并刻蚀形成多晶硅场板，所述多晶硅场板沿着所述二阶场氧的侧壁延伸覆盖到所述二阶场氧的部分顶面；步骤八、进行源漏离子注入形成源区和漏区。
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