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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248546A
主分类号：H01L21/321
分类号：H01L21/321;H01L21/3215
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种修复多晶硅高阻阻值的方法，包括提供衬底，在衬底表面淀积多晶硅形成多晶硅层；对多晶硅层进行杂质离子注入形成多晶硅高阻，并使得多晶硅高阻阻值达标；图案化多晶硅高阻以形成电阻图形；淀积形成一具有平坦表面的ILD层；在ILD层上形成金属层，并采用光刻刻蚀工艺定义出金属连线层和多晶高阻屏蔽层；在金属层上形成钝化层；实施低温合金工艺；进行WAT测试，并根据测试结果确定是否需要修复多晶高阻阻值；若多晶硅高阻阻值过大，则实施不含N的低温合金工艺；若多晶硅高阻阻值过小，则实施不含H的低温合金工艺。本发明根据多晶硅高阻阻值表现，通过增加一次H2或N2热过程，修复多晶高阻阻值，降低WATOOS风险，提高了产品品质。
主权项：1.一种修复多晶硅高阻阻值的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，在所述衬底表面淀积多晶硅形成多晶硅层；步骤二、对所述多晶硅层进行杂质离子注入形成多晶硅高阻，并使得所述多晶硅高阻阻值达标；步骤三、图案化所述多晶硅高阻以形成电阻图形；步骤四、淀积形成一具有平坦表面的ILD层；步骤五、在所述ILD层上形成金属层，并利用光刻刻蚀工艺定义出金属连线层和多晶高阻屏蔽层；步骤六、在所述金属层上形成钝化层，并利用光刻刻蚀工艺打开焊盘开口；步骤七、实施低温合金工艺；步骤八、进行WAT测试，并根据测试结果确定是否需要修复所述多晶高阻阻值，若所述多晶硅高阻阻值过大，执行步骤九，若所述多晶硅高阻阻值变小，执行步骤十；步骤九、在不含N的H2气氛中实施低温合金工艺，使多晶硅氢化增强，降低所述多晶硅高阻阻值；步骤十、在不含H的N2气氛中实施低温合金工艺，使多晶硅氢化减弱，提高所述多晶硅高阻阻值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种修复多晶硅高阻阻值的方法
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