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申请/专利权人：中钢天源股份有限公司
申请日：2021-10-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113963931B
主分类号：H01F41/02
分类号：H01F41/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.02.15#实质审查的生效;2022.01.21#公开
摘要：本发明公开了一种R‑T‑B稀土永磁体的制备方法，涉及磁性材料技术领域领域，为提高产品性能和生产效率，降低生产成本；本发明采用上端面开设有多条气槽的治具，利用网印工艺在烧结磁体表面沉积膜层，其中网印膜层的浆液包括稀土低氧化物、稀土氟化物、稀土氢化物中的至少一种，还可包括金属元素或其氢化物、氧化物、氮化物中的至少一种；将沉积膜层后的烧结磁体在真空烧结炉中热处理，使稀土元素扩散进入烧结磁体内部；本发明可以实现自动化加工时产品侧边紧密排放，大大简化了自动化实施难度，热处理后粘连现象大大减少，产品性能一致性也得到改善，有利于提高自动化程度，减少人工成本，复合粉体利用有利于提高产品性能，降低稀土用量。
主权项：1.一种R-T-B稀土永磁体的制备用网印治具，包括上端用于放置产品的治具，其表面设有多个吸气孔，吸气孔成矩形阵列分布，其特征在于：所述治具上端面还开设有多条气槽，各吸气孔上端通过气槽相连通；所述气槽沿两种方向分布，分别平行于吸气孔阵列的行和列方向设置，同一行吸气孔通过一行气槽穿过各吸气孔上端的中心点相连通，同一列吸气孔通过一列气槽穿过各吸气孔上端的中心点相连通，每相邻的两行吸气孔之间设有一行气槽，每相邻的两列吸气孔之间设有一列气槽，且吸气孔阵列的四周还开设有一圈矩形气槽；所述治具在烧结磁体表面沉积膜层时，治具的内框有效区长边公差为+m1至+m2，宽边公差为+m3至+m4，其中m1=0.1X+n1，m2=0.2X+n2，m3=0.1Y+n3，m4=0.2Y+n4，n1、n2、n3、n4的取值范围为0-1.5mm，X为治具长边方向对应的烧结磁体摆放数量，Y为治具宽边方向对应的烧结磁体摆放数量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中钢天源股份有限公司 一种R-T-B稀土永磁体的制备方法
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