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申请/专利权人：鄂尔多斯应用技术学院
摘要：本发明涉及电流检测技术领域，具体地说，涉及非接触式高精度环形TMR阵列电流传感器。至少包括一载流导体和多个传感器本体，多个传感器本体以载流导体轴线上任意一点为中心点形成环路；所述传感器本体基于其自身建立的输出电压与载流导体上电流之间的校准关系，来检测载流导体上的电流。本发明中基于毕奥萨伐尔定律，可通过单个TMR器件测量载流导体产生的磁场，运用了安培电流环路定律，即当TMR器件数量无限多，行成封闭环路时，TMR器件测量到的磁场代数和就严格等于流过环路内部的电流乘以真空磁导率，从而消除了串扰磁场、地磁场和一次导体的偏心、偏角的影响。
主权项：1.非接触式高精度环形TMR阵列电流传感器，其特征在于，至少包括：一载流导体，其连接电源供电；以及，传感器本体，其设置有多个，多个所述传感器本体以载流导体轴线上任意一点为中心点形成环路；所述传感器本体基于其自身建立的输出电压与载流导体上电流之间的校准关系，来检测载流导体上的电流；其中，形成环路的所述传感器本体根据其自身与载流导体的距离计算载流导体产生的磁场强度；所述载流导体内电流不变的情况下，基于环路周长计算出载流导体产生的磁场强度，以在校准关系建立前对在前的计算结果进行验证。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 鄂尔多斯应用技术学院 非接触式高精度环形TMR阵列电流传感器
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