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申请/专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日：2024-04-18
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118064876B
主分类号：C23C16/52
分类号：C23C16/52;C23C16/44
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2024.06.11#实质审查的生效;2024.05.24#公开
摘要：本发明提供一种化学气相沉积方法及设备，方法包括如下步骤：提供一工艺腔，其通过一真空管道连接真空泵，真空管道中设有调节工艺腔抽气流速的蝶阀；将晶圆装载进工艺腔，将工艺腔压力调节至工艺压力并进行化学气相沉积工艺，在进行化学气相沉积工艺时，真空端压力为小于工艺压力的第一真空压力；将工艺腔压力和真空端压力调节至卸载压力并卸载晶圆，卸载压力小于工艺压力和第一真空压力，通过调节蝶阀的开启角度调整工艺腔的压力变化速率，使工艺腔的压力始终大于真空端压力。本发明在工艺腔卸载晶圆时通过创造性的方式调节蝶阀的开启角度调整工艺腔的压力变化速率，使工艺腔的压力始终大于真空端压力，有助于减少颗粒污染，提高生产良率。
主权项：1.一种化学气相沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一工艺腔，所述工艺腔通过一真空管道连接真空泵，所述真空管道中还设有用于调节所述工艺腔的抽气流速的蝶阀；将晶圆装载进所述工艺腔，将所述工艺腔的压力调节至工艺压力并进行化学气相沉积工艺，将所述真空管道靠近所述真空泵一端的压力定义为真空端压力，在进行所述化学气相沉积工艺时，所述真空端压力为第一真空压力，所述第一真空压力小于所述工艺压力；将所述工艺腔的压力和所述真空端压力都调节至卸载压力并卸载所述晶圆，所述卸载压力小于所述工艺压力和所述第一真空压力，在所述工艺腔的压力和所述真空端压力下降至所述卸载压力前，通过调节所述蝶阀的开启角度调整所述工艺腔的压力变化速率，使所述工艺腔的压力始终大于所述真空端压力；所述工艺腔的压力达到所述卸载压力所需的时间T1和所述真空端压力达到所述卸载压力所需的时间T2满足如下关系式：T1=a*Xc；T2=b*Xd；上式中，a、b、c和d为常数，其中，a＞b＞0且c＜d＜0；X为蝶阀的开启速率；a的取值范围为20至22，b的取值范围为17至19，c的取值范围为-0.7至-0.6，d的取值范围为-0.55至-0.45。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 化学气相沉积方法及设备
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