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申请/专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日：2024-05-06
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231527A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L21/02;H01L21/67;C30B33/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法，所述隧穿氧化层的制备方法包括：将去除BSG和背结的硅片在第一反应温度下置于包含有空气以及臭氧的环境中，进行初步氧化步骤，从而在硅片表面形成第一氧化层，随后将经过第一氧化步骤后的硅片传输至LPCVD反应腔室中，并向LPCVD反应腔室中通入由氧气、臭氧以及水蒸气组成的混合气体，从而在第二反应温度下进行深度氧化步骤，最终形成隧穿氧化层。本申请首先通过初步氧化以及深度氧化的分步氧化步骤，有效控制了隧穿氧化层的生长速度，从而保证了隧穿氧化层的厚度均匀性。同时，本申请还通过控制氧化气体的种类，在保证隧穿氧化层的均匀性的前提下，有效降低了氧化温度。
主权项：1.隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤（S.1）：将去除BSG和背结的硅片依次进行清洗以及烘干步骤；步骤（S.2）：将烘干后的硅片在第一反应温度下置于包含有空气以及臭氧的环境中，进行初步氧化步骤，从而在硅片表面形成第一氧化层；步骤（S.3）：将经过第一氧化步骤后的硅片传输至LPCVD反应腔室，并且对反应腔室进行抽真空以及升温处理；步骤（S.4）：向LPCVD反应腔室中通入由氧气、臭氧以及水蒸气组成的混合气体，在第二反应温度下进行深度氧化步骤，使得第一氧化层厚度进一步提升，最终形成隧穿氧化层；所述步骤（S.4）中混合气体中臭氧含量为20-60%，水蒸气含量为1-5%，余量为氧气；其中，所述步骤（S.2）中形成的第一氧化层厚度小于等于步骤（S.4）中最终形成的隧穿氧化层厚度的30%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡松煜科技有限公司 隧穿氧化层及TopCon电池的制备方法
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