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一种SE-TOPCon电池及其制备方法 

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申请/专利权人:英利能源发展有限公司

摘要:本发明公开一种SE‑TOPCon电池及其制备方法。本发明在高温硼扩后,采用激光在金属电极区域进行重掺杂工艺,在非金属电极区域进行轻掺杂工艺,实现硅片正面的硼原子的分区掺杂;并且,配合调整高温磷扩散工艺,使在该步骤在完成硅片背面磷掺杂的同时,实现硅片正面硼原子的再分布;通过上述工艺调整,省去了传统工艺的高温退火工序,节省了设备成本、人工成本和材料成本,且通过控制激光推进工艺和磷扩散工艺的参数,避免了省去高温退火工序对电池性能的不利影响,保证了电池性能。本发明提供的SE‑TOPCon电池的制备方法简便、操作方便,能够有效降低生产成本,提高电池的生产效率,推进高效太阳电池制备技术的发展具有重要意义。

主权项:1.一种SE-TOPCon电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1,对硅片进行制绒,对制绒后的硅片进行硼扩散;S2,采用激光在硼扩后的硅片的金属电极区域进行重掺杂,在非金属电极区域进行轻掺杂;其中,所述重掺杂的B原子的表面浓度≥4.0E+19atomscm3,掺杂深度≥1.6μm;所述轻掺杂的B原子的表面浓度<4.0E+19atomscm3,掺杂深度≤1.2μm;S3,将激光掺杂后的硅片进行清洗后,进行隧穿氧化层和多晶硅层的制备;S4,对多晶硅层进行磷扩散掺杂;其中,所述磷扩散的温度为870℃-960℃,氧气的流量为50sccm-300sccm,三氯氧磷的流量为50sccm-180sccm;S5,将磷扩后的硅片进行清洗,在硅片的正背面制备钝化层,金属化,得SE-TOPCon电池。

全文数据:

权利要求:

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