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申请/专利权人：华邦电子股份有限公司
摘要：本发明提供一种可使用正电位进行尖峰时序相依可塑性STDP写入的电阻变化型突触数组装置及写入方法。突触数组装置包括纵横式数组40中选择的电阻变化型存储元件MC进行写入的写入单元。写入单元具有：驱动器122，生成与由突触前神经元生成的尖峰信号的正部分相对应的正脉冲信号Pa；驱动器124，生成与由突触后神经元生成的尖峰信号的负部分相对应的正脉冲信号Tb；驱动器132，生成与由突触后神经元生成的尖峰信号的正部分相对应的正脉冲信号Ta；以及驱动器123，生成与由突触前神经元生成的尖峰信号的负部分相对应的正脉冲信号Pb。
主权项：1.一种尖峰时序相依可塑性的写入方法，向使用了双极型的电阻变化型存储元件的纵横式数组进行所述尖峰时序相依可塑性的写入，其中，由利用正电位的第一驱动器生成与由突触前神经元生成的尖峰信号的正部分相对应的正的第一电压信号，由利用正电位的第二驱动器生成与由突触后神经元生成的尖峰信号的负部分相对应的正的第二电压信号，由利用正电位的第三驱动器生成与由突触后神经元生成的尖峰信号的正部分相对应的正的第三电压信号，由利用正电位的第四驱动器生成与由突触前神经元生成的尖峰信号的负部分相对应的正的第四电压信号，将所述第一电压信号与所述第二电压信号相加而得的第一驱动信号施加至所选择的电阻变化型存储元件的一个端子，将所述第三电压信号与所述第四电压信号相加而得的第二驱动信号施加至所述所选择的电阻变化型存储元件的另一个端子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华邦电子股份有限公司 尖峰时序相依可塑性的写入方法及突触数组装置
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