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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本公开内容的方面关于在基板上进行退火操作之前在基板上进行自由基处理操作的方法、系统、及设备。在一个实施方式中，处理半导体基板的方法包括预加热基板，及将基板暴露至物种自由基。将基板暴露至物种自由基包括小于300℃的处理温度、小于1.0托的处理压力、及在8.0分钟至12.0分钟的范围内的处理时间。此方法包括在将基板暴露至物种自由基之后退火基板。该退火包括将基板暴露至分子、300℃或更大的退火温度、在500托至550托的范围内的退火压力、及小于4.0分钟的退火时间。
主权项：1.一种处理半导体基板的方法，包含以下步骤：预加热基板；将所述基板暴露至物种自由基，将所述基板暴露至所述物种自由基的步骤包含：将所述基板暴露至小于300℃的处理温度；将所述基板暴露至小于1.0托的处理压力；及将所述基板暴露在2.0分钟至12.0分钟的范围内的处理时间；及在将所述基板暴露至所述物种自由基之后退火所述基板，所述退火的步骤包含：将所述基板暴露至分子；将所述基板暴露至300℃或更大的退火温度；将所述基板暴露至在500托至550托的范围内的退火压力；及将所述基板暴露小于4.0分钟的退火时间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 在进行退火操作之前进行自由基处理操作的方法、系统及设备
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