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一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片 

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申请/专利权人:华羿微电子股份有限公司

摘要:本发明公开一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片,该电路包括:驱动电阻串联在驱动正极与控制端之间,驱动正极用于与半桥驱动芯片的输出正极连接,驱动负极用于与MOS或IGBT的源极、以及半桥驱动芯片的输出负极连接,控制端用于与MOS或IGBT的栅极连接;驱动检测触发电路内设置有基准电压,用于在驱动正极的输入电压低于基准电压时,控制米勒反冲抑制钳位电路工作;米勒反冲抑制钳位电路为三极管钳位电路,并联在MOS或IGBT的栅极与源极的两端,用于在工作时吸收MOS或IGBT产生的米勒电容位移电流,并将MOS或IGBT的栅极电压钳位至0V;本发明广泛应用于各类半桥式或相近拓扑结构的电源、电机驱动等领域,有效解决因米勒电容而引发的上下桥误导通问题。

主权项:1.一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路,其特征在于,电连接在MOS驱动结构的半桥驱动芯片与MOS或IGBT之间;包括驱动正极、驱动负极、控制端、驱动电阻、驱动检测触发电路以及米勒反冲抑制钳位电路;所述驱动电阻串联在所述驱动正极与所述控制端之间;所述驱动正极用于与所述半桥驱动芯片的输出正极连接,所述驱动负极用于与所述MOS或所述IGBT的源极、以及所述半桥驱动芯片的输出负极连接,所述控制端用于与所述MOS或所述IGBT的栅极连接;所述驱动检测触发电路内设置有基准电压,用于在所述驱动正极的输入电压低于所述基准电压时,控制所述米勒反冲抑制钳位电路工作;所述米勒反冲抑制钳位电路为三极管钳位电路,并联在所述MOS或所述IGBT的栅极与源极的两端,用于在工作时吸收所述MOS或所述IGBT产生的米勒电容位移电流,并将所述MOS或所述IGBT的栅极电压钳位至0V。

全文数据:

权利要求:

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