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申请/专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
摘要：本发明提供了一种相变薄膜、相变存储器和相变存储器的操作方法，所述相变薄膜包括依次层叠的第一金属阻挡层、相变材料层和第二金属阻挡层，其中，在所述第一金属阻挡层和所述相变材料层之间设置有金属铋层，和或，在所述第二金属阻挡层和所述相变材料层之间设置有金属铋层，由此，能够利用低表面自由能的金属铋层作为相变材料层的表面活性剂，在施加相应的脉冲后，使得金属铋层中的铋原子沿着相变材料层中的晶体晶界进行扩散，以细化相变材料层中的晶粒，提高相变材料层的相变速度，并减少相变材料层相变时体积的变化，提高器件的耐久性。
主权项：1.一种相变薄膜，其特征在于，包括依次层叠的第一金属阻挡层、相变材料层和第二金属阻挡层，其中，在所述第一金属阻挡层和所述相变材料层之间设置有金属铋层，和或，在所述第二金属阻挡层和所述相变材料层之间设置有金属铋层；且所述金属铋层作为所述相变材料层的表面活性剂，且所述第一金属阻挡层和所述述第二金属阻挡层用于阻挡金属铋层中的铋原子的进一步扩散，使金属铋层中的铋原子保留在所述相变材料层的表面上；在相应的脉冲的作用下，所述金属铋层中的全部或一部分铋原子在所述金属铋层紧挨的所述相变材料层的一侧界面和所述相变材料层的相对侧界面之间，沿着所述相变材料层中的晶体晶界进行单方向扩散或者往复扩散，以细化所述相变材料层中的晶粒，并在所述相变材料层的所述一侧界面和或所述相对侧界面上形成新的金属铋层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法
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