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申请/专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日：2024-02-23
公开（公告）日：2024-05-24
公开（公告）号：CN118076214A
主分类号：H10N70/00
分类号：H10N70/00;G06N20/00;H10N70/20;H10B63/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.11#实质审查的生效;2024.05.24#公开
摘要：本发明涉及一种导电细丝型忆阻器的训练方法、装置及电子设备。导电细丝型忆阻器的训练方法包括：基于预设外部电压的第一施加电场和导电细丝型忆阻器的工作原理，确定导电细丝型忆阻器的介电层中是否存在导电细丝以及导电细丝能否自发断裂；若不能自发断裂，则基于预设外部电压的第二施加电场和外部磁场施加的磁感应强度，确定训练后的候选导电细丝型忆阻器中的导电细丝能否自发断裂以及候选导电细丝型忆阻器是否满足预设忆阻器性能阈值，以便提升目标导电细丝型忆阻器的性能。本申请在降低设计成本的同时，提升了目标导电细丝型忆阻器的均一性和稳定性，进而提升了目标导电细丝型忆阻器的性能。
主权项：1.一种导电细丝型忆阻器的训练方法，其特征在于：所述导电细丝型忆阻器的训练方法包括：基于预设外部电压的第一施加电场和导电细丝型忆阻器的工作原理，确定所述导电细丝型忆阻器的介电层中是否存在导电细丝以及所述导电细丝能否自发断裂；若存在所述导电细丝且所述导电细丝不能自发断裂，则基于预设外部电压的第二施加电场和外部磁场施加的磁感应强度，对所述导电细丝型忆阻器进行训练并对所述导电细丝进行分布优化，确定训练后的候选导电细丝型忆阻器中的导电细丝能否自发断裂以及所述候选导电细丝型忆阻器是否满足预设忆阻器性能阈值；若所述候选导电细丝型忆阻器中的导电细丝能够自发断裂且所述候选导电细丝型忆阻器满足预设忆阻器性能阈值，则将所述候选导电细丝型忆阻器确定为训练好的目标导电细丝型忆阻器，以便提升所述目标导电细丝型忆阻器的性能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学杭州国际科创中心 一种导电细丝型忆阻器的训练方法、装置及电子设备
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