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申请/专利权人：深圳市至信微电子有限公司
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种LVFF碳化硅场效应管及制备工艺，包括碳化硅MOSFET元胞和碳化硅SBD元胞；碳化硅MOSFET元胞包括SiC外延层，SiC外延层的第一表面上设有栅极结构，SiC外延层的第一表面上的非栅极区域的预设位置设有SBD沟槽，碳化硅SBD元胞集成于SBD沟槽内或第一表面上的非栅极区域；由于SBD被直接集成到MOSFET芯片内部，降低封装成本，不需要额外的外部器件和其引脚，可以大幅减小器件的尺寸，提高芯片的集成度；且SBD反向导通时电流分布也更加均匀，消除了二极管与MOSFET的相互连接导致的寄生参数，降低了系统的开关损耗，提高了功率转换效率，提高了器件的整体性能。
主权项：1.一种LVFF碳化硅场效应管，其特征在于，包括碳化硅MOSFET元胞（100）和碳化硅SBD元胞（200）；所述碳化硅MOSFET元胞（100）包括SiC外延层（102），所述SiC外延层（102）的第一表面上设有栅极结构（110），所述SiC外延层（102）的第一表面上的非栅极区域的预设位置设有SBD沟槽（120），所述碳化硅SBD元胞（200）集成于所述SBD沟槽（120）内或所述第一表面上的非栅极区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市至信微电子有限公司 一种LVFF碳化硅场效应管及制备工艺
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