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申请/专利权人：中北大学

摘要：本发明涉及SiC晶片加工缺陷检测技术，具体是一种基于Lamb波的SiC晶片加工缺陷检测装置及方法。本发明解决了现有SiC晶片加工缺陷检测技术检测速度慢、检测精度低、检测成本高的问题。一种基于Lamb波的SiC晶片加工缺陷检测装置，包括两根纵向底梁、矩形底板、旋转平台、圆形托盘、两根支撑立柱、横向顶梁、两个直角角码A、两个直角角码B、两根导向立柱、两个导向套筒、两个主滑块、直条角码、横向导轨、两个自锁滑块A、两根竖向导轨、两个自锁滑块B、两个铰接座、两个刻度盘、两个T形安装片、两个虎口夹、两个压电陶瓷换能器。本发明适用于SiC晶片加工缺陷的检测。

主权项：1.一种基于Lamb波的SiC晶片加工缺陷检测装置，其特征在于：包括两根纵向底梁（1）、矩形底板（2）、旋转平台（3）、圆形托盘（4）、两根支撑立柱（5）、横向顶梁（6）、两个直角角码A（7）、两个直角角码B（8）、两根导向立柱（9）、两个导向套筒（10）、两个主滑块（11）、直条角码（12）、横向导轨（13）、两个自锁滑块A（14）、两根竖向导轨（15）、两个自锁滑块B（16）、两个铰接座（17）、两个刻度盘（18）、两个T形安装片（19）、两个虎口夹（20）、两个压电陶瓷换能器（21）；其中，两根纵向底梁（1）呈左右平行排列；矩形底板（2）固定于两根纵向底梁（1）之间；旋转平台（3）固定于矩形底板（2）的上板面中央，且旋转平台（3）的台面朝上；圆形托盘（4）同轴固定于旋转平台（3）的台面；圆形托盘（4）的上盘面开设有两道呈同心设置的环形凹槽（4.1），且两道环形凹槽（4.1）将圆形托盘（4）的上盘面分隔为圆形区域、内侧环形区域、外侧环形区域；内侧环形区域高于圆形区域；外侧环形区域高于内侧环形区域；两根支撑立柱（5）分别垂直固定于两根纵向底梁（1）的上侧面后部；横向顶梁（6）的两端分别支撑固定于两根支撑立柱（5）的上端面；两个直角角码A（7）分别固定于两根纵向底梁（1）的上侧面和两根支撑立柱（5）的前侧面之间；两个直角角码B（8）分别固定于横向顶梁（6）的前侧面两端；两根导向立柱（9）的下端分别贯穿固定于两个直角角码A（7）的水平段；两根导向立柱（9）的上端分别贯穿固定于两个直角角码B（8）的水平段；两个导向套筒（10）分别滑动装配于两根导向立柱（9）的侧面；两个主滑块（11）的前侧面分别与两个导向套筒（10）的外侧面固定；两个主滑块（11）的后侧面分别与两根支撑立柱（5）的前侧面滑动接触；直条角码（12）的两端分别贯穿固定于两个主滑块（11）上；横向导轨（13）固定于直条角码（12）的前侧面；两个自锁滑块A（14）均滑动装配于横向导轨（13）上；两根竖向导轨（15）分别固定于两个自锁滑块A（14）的前侧面；两个自锁滑块B（16）分别滑动装配于两根竖向导轨（15）上；两个铰接座（17）的后侧面分别与两个自锁滑块B（16）的前侧面固定，且两个铰接座（17）的开口均朝下；两个刻度盘（18）分别同轴固定于两个铰接座（17）的前侧面；两个T形安装片（19）的尾端分别铰接于两个铰接座（17）的开口内；两个虎口夹（20）分别对接固定于两个T形安装片（19）的头部；两个压电陶瓷换能器（21）分别夹持固定于两个虎口夹（20）和两个T形安装片（19）之间。

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