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申请/专利权人：广州天极电子科技股份有限公司
摘要：本发明涉及介电陶瓷技术领域，尤其涉及一种降低SCT容量温度系数且提高介电常数的方法。本发明提供了一种降低SCT容量温度系数且提高介电常数的方法，包括以下步骤：将SCT和铋的氧化物第一混合，得到混合掺杂料；将所述混合掺杂料和聚乙烯醇第二混合后，依次进行压片和烧结，得到Bi掺杂的SCT。本发明通过掺杂Bi元素使所述SCT材料改善晶粒结构，促进晶粒长大，减少孔隙率，改善其正负温度下的容量温度系数，且提高材料介电常数。
主权项：1.一种降低SCT容量温度系数且提高介电常数的方法，其特征在于，包括以下步骤：将SCT和铋的氧化物第一混合，得到混合掺杂料；所述SCT为Sr1-xCaxTiO3，x为0.6，所述SCT和铋的氧化物的摩尔比为100：4～6；将所述混合掺杂料和聚乙烯醇第二混合后，依次进行压片和烧结，得到Bi掺杂的SCT；所述烧结的温度为1352～1360℃，保温时间为8～10h；所述SCT的制备方法包括以下步骤：将SrCO3、CaCO3和TiO2混合，得到混合物；将所述混合物压制成块后，进行焙烧，得到SCT；所述焙烧的温度为1050～1250℃，时间为4h。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州天极电子科技股份有限公司 一种降低SCT容量温度系数且提高介电常数的方法
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