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申请/专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
摘要：本发明公开了一种基于GOI衬底的场效应晶体管磁传感器及其制备方法，涉及传感器领域。本发明采用GOI衬底制备场效应晶体管进行磁传感应用器件具有以下优点：1厚度很小，利用MOS器件进行磁感应；2器件尺寸小，有利于提高系统集成度；3与集成电路制造工艺兼容，能够采用目前广泛使用的半导体工艺在芯片制造的同时进行传感器的集成；4灵敏度高，锗的空穴迁移率高于传统硅基空穴迁移率，能够在高精度环境下使用。因此，本发明传感器在运动传感、智能医疗及汽车等多个领域具有广阔的应用前景。
主权项：1.一种基于GOI衬底的场效应晶体管磁传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1制备得到GOI衬底，所述GOI衬底包括硅衬底、位于硅衬底上的绝缘层、位于绝缘层上的锗薄膜；2对所述GOI衬底的锗薄膜对应区域进行重掺杂形成源扩散区和漏扩散区，然后分别在源扩散区和漏扩散区上形成源极和漏极的欧姆接触引脚；3在所述GOI衬底的锗薄膜上、位于源扩散区和漏扩散区之间沉积氧化膜，然后在氧化膜上沉积一层作为栅极的栅极接触电极材料；4在GOI衬底的背面进行氧化硅的选择性刻蚀，直到露出所述锗薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学杭州国际科创中心 一种基于GOI衬底的场效应晶体管磁传感器及其制备方法
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