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磁存储装置 

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申请/专利权人:铠侠股份有限公司

摘要:实施方式的磁存储装置包括第1布线和第2布线、存储单元、晶体管、感测放大器以及控制电路。存储单元MC包括串联连接在第1布线与第2布线之间的磁阻效应元件VR。晶体管60连接在第2布线与接地节点之间。感测放大器SA2基于第1布线与第2布线的电压差,判定存储于存储单元的数据。在读出工作中,控制电路将第1布线充电为第1电压。控制电路在对第1布线进行充电后,通过对晶体管的栅极端施加第2电压而经由在一端与另一端之间流动的电流被限制为第1电流的晶体管对第1布线进行放电。控制电路基于经由晶体管而被放电的第1布线的电压,使感测放大器SA2判定存储于存储单元的数据。由此,改善存储单元的读出性能。

主权项:1.一种磁存储装置,具备:第1布线;第2布线;存储单元,其包括串联连接在所述第1布线与所述第2布线之间的磁阻效应元件和选择器元件;晶体管,其连接在所述第2布线与接地节点之间;第1感测放大器,其构成为对所述第1布线与所述第2布线的电压差进行放大;第2感测放大器,其构成为基于所述第1感测放大器的输出电压与参考电压的比较结果,判定存储于所述存储单元的数据;以及控制电路,其构成为执行读出工作,在所述读出工作中,所述控制电路,将所述第1布线充电为第1电压,在对所述第1布线进行充电之后,通过对所述晶体管的栅极端施加第2电压而经由在一端与另一端之间流动的电流被限制为第1电流的所述晶体管对所述第1布线进行放电,使所述第1感测放大器对经由所述晶体管而被放电的所述第1布线和所述第2布线的电压差进行放大,并使所述第2感测放大器判定存储于所述存储单元的数据。

全文数据:

权利要求:

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