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申请/专利权人：浙江巨磁智能技术有限公司

摘要：本发明属于电子电路技术领域，尤其涉及一种低温漂、高PSRR的无运放带隙基准电路，包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3；与现有技术相比，本发明电路为无运放的带隙基准电路，其避免了运放失调电压对基准电压的影响，提高了基准电压的精度；通过调整电阻系数可以很好地调整基准电压的温度系数，实现低温漂基准电压。

主权项：1.一种低温漂、高PSRR的无运放带隙基准电路，其特征在于，包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3，所述MOS管M11的漏极与MOS管M9的漏极、MOS管M9的栅极、MOS管M10的栅极相连，MOS管M11的栅极与MOS管M5的漏极、三极管Q2的集电极相连，MOS管M11的源极与MOS管M14的漏极、MOS管M13的源极相连，所述MOS管M9的源极与MOS管M10的源极、MOS管M7的源极、MOS管M8的源极、MOS管M1的源极、MOS管M2的源极的相连，所述MOS管M12的漏极与MOS管M10的漏极、MOS管M12栅极、MOS管M3的栅极、MOS管M6的栅极相连，所述MOS管M13的漏极与MOS管M12的源极、MOS管M13的栅极、三极管Q3的基极、三极管Q1的基极、三极管Q2的基极相连，所述MOS管M14的源极与MOS管M15的源极、电阻R3的一端、电阻R2的一端相连，MOS管M14的栅极与MOS管M15的栅极、MOS管M15的漏极、MOS管M7的漏极相连，所述三极管Q3的发射极与电阻R3的另一端相连，三极管Q3的集电极与MOS管M3的源极相连，MOS管M3的漏极与MOS管M8的漏极、MOS管M7的栅极、MOS管M8的栅极相连，所述三极管Q1的发射极与电阻R1的一端相连，三极管Q1的集电极与MOS管M6的源极相连，MOS管M6的漏极与MOS管M4的漏极、MOS管M1的栅极、MOS管M2的栅极相连，MOS管M1的漏极和MOS管M4的源极相连，所述三极管Q2的发射极与电阻R1的另一端、电阻R2的另一端相连，MOS管M5的源极与MOS管M2的漏极相连，MOS管M4的栅极和MOS管M5的栅极相连。

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