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申请/专利权人：力特半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明公开了一种单向高电压穿通TVS二极管及制造方法，具体地，公开了一种单向瞬态电压抑制TVS器件。该TVS器件可以包括被形成在基板的第一主表面的第一部分上的第一层包括N+材料和由N‑材料形成的第二层。第二层可以从第一主表面的围绕第一层的第二部分延伸，并且可以延伸到第一层下方。TVS器件可以包括第三层，其包括P+材料，其中，第二层被设置在第一层和第三层之间。TVS器件还可以包括隔离区，其从第一主表面延伸，并且围绕第二层设置。
主权项：1.一种单向瞬态电压抑制TVS器件，包括：第一层，所述第一层包括N+材料，所述第一层被形成在基板的第一主表面的第一部分上；第二层，所述第二层从所述第一主表面的围绕所述第一层的第二部分延伸，并延伸到所述第一层下方，所述第二层包括N-材料；第三层，所述第三层包括P+材料，其中，所述第二层被设置在所述第一层和所述第三层之间；以及隔离区，所述隔离区从所述第一主表面延伸，并且围绕所述第二层设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力特半导体(无锡)有限公司 单向高电压穿通TVS二极管及制造方法
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