买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:郑州大学
摘要:本发明属于甲烷传感器制备技术领域,公开一种抗HMDSO中毒的双层结构SnO2基甲烷传感器及其制备方法。所述传感器为旁热式传感器,由Al2O3陶瓷管、两个环状金电极、四条铂丝引线、敏感内层、抗毒外层、铬镍加热丝、六脚管座组成;其中,敏感内层材料为SiO2表面接枝改性SnO2,抗毒外层材料为负载SnO2的氧化铝纤维。制备方法:(1)、制备敏感内层材料‑‑SiO2表面接枝改性SnO2;(2)、制备抗毒外层材料‑‑负载SnO2的氧化铝纤维;(3)、按旁热式传感器的制备工艺先涂覆敏感内层材料,再涂覆抗毒外层材料,制备双层结构SnO2基甲烷传感器。本发明制备的传感器元件可以有效抵抗HMDSO的毒化作用,在V0、Vg、SR等多项指标上均能保持稳定。
主权项:1.一种抗HMDSO中毒的双层结构SnO2基甲烷传感器,其特征在于:所述传感器为旁热式传感器,由Al2O3陶瓷管(1)、两个环状金电极(2)、四条铂丝引线(3)、敏感内层(4)、抗毒外层(5)、铬镍加热丝(6)、六脚管座(7)组成;两个环状金电极(2)平行间隔设置在Al2O3陶瓷管(1)上,每个金电极(2)连接两条铂丝引线(3),敏感内层(4)涂覆于Al2O3陶瓷管(1)和金电极(2)的外表面,抗毒外层(5)涂覆于敏感内层(4)外表面,铬镍加热丝(6)穿过Al2O3陶瓷管(1)内部,铬镍加热丝(6)的两端和Al2O3陶瓷管(1)的四条铂丝引线(3)共同焊接在六脚管座(7)上;其中,敏感内层(4)材料为SiO2表面接枝改性SnO2,抗毒外层(5)材料为负载SnO2的氧化铝纤维;敏感内层(4)材料中,SiO2的接枝率为1-3wt%;抗毒外层(5)材料中,SnO2的负载率为30-70wt%;敏感内层(4)的厚度为0.05-0.2mm,抗毒外层(5)的厚度为0.05-0.3mm。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 郑州大学 一种抗HMDSO中毒的双层结构SnO2基甲烷传感器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。