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申请/专利权人：中国人民解放军空军特色医学中心
摘要：本发明公开了一种用于真菌性甲癣治疗的高功率半导体激光治疗仪，包括壳体，以及位于壳体内的半导体激光源，耦合器，传输光纤，匀光端帽以及成像透镜，半导体激光源，耦合器，传输光纤，匀光端帽以及成像透镜位于同一光轴上，匀光端帽熔接在光纤末端，半导体激光源的光束经光学整形，由耦合器耦合进入大芯径的传输光纤中，在匀光端帽内部经过匀光后从匀光端帽的出口出射。本发明采用多颗1064nm高功率半导体激光芯片替代固体激光器，以达到预设的大功率进行治疗，确保治疗效果，同时实现小型化。本发明还利用石英制成的匀光端帽进行光束匀化，以确保辐照到人体的光斑更均匀，避免局部灼伤或局部辐照不足。
主权项：1.一种用于真菌性甲癣治疗的高功率半导体激光治疗仪，其特征在于包括壳体，以及位于壳体内的半导体激光源，耦合器，传输光纤，匀光端帽以及成像透镜；其中，半导体激光源，耦合器，传输光纤，匀光端帽以及成像透镜位于同一光轴上，匀光端帽熔接在传输光纤的出光端；半导体激光源的光束经光学整形，由耦合器耦合进入大芯径的传输光纤中，在匀光端帽内部经过匀光后从匀光端帽的出口出射。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军空军特色医学中心 用于真菌性甲癣治疗的高功率半导体激光治疗仪
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