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一种具有优异光电性能Cs2SnI6基复合膜的制备方法 

申请/专利权人:合肥工业大学

申请日:2022-12-12

公开(公告)日:2024-03-12

公开(公告)号:CN115975405B

主分类号:C09D1/00

分类号:C09D1/00;C01G9/00;C03C17/34;C09D5/00;B05D7/24

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.12#授权;2023.05.05#实质审查的生效;2023.04.18#公开

摘要:本发明公开了一种具有优异光电性能Cs2SnI6基复合膜的制备方法,首先以碘化铯和碘化锡为原料通过简便的溶剂热法制备得到Cs2SnI6粉末;再以硝酸银为反应原料,硫氢化钠为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮为保护剂,正硅酸四乙酯为硅源制备得到Ag@SiO2纳米立方体溶液;最后将制备的Cs2SnI6粉末分散于无水乙醇中配制成浆料,与Ag@SiO2NCs溶液以一定顺序喷涂制成复合膜。本发明提供的复合膜制备方法简单、成本低且适用于大规模生产;同时Cs2SnI6基复合膜相较于纯Cs2SnI6膜具有更强的光吸收能力和更高的光电流响应强度。

主权项:1.一种具有优异光电性能Cs2SnI6基复合膜的制备方法,其特征在于:首先以碘化铯和碘化锡为原料通过简便的溶剂热法制备得到Cs2SnI6粉末;再以硝酸银为反应原料,硫氢化钠为还原剂,PVP-K30为保护剂,TEOS为硅源制备得到Ag@SiO2NCs溶液;最后将制备的Cs2SnI6粉末分散于无水乙醇中配制成浆料,与Ag@SiO2NCs溶液以一定顺序喷涂制成复合膜;包括如下步骤:步骤1:分别称取一定量的CsI、SnI4粉末,加入无水乙醇搅拌至反应完全,得到前驱体;步骤2:将步骤1得到的前驱体转移至反应釜内,在一定温度下反应得到Cs2SnI6粗产物,用异丙醇洗涤后干燥、研磨,得到Cs2SnI6粉末;步骤3:分别称取硫氢化钠、PVP-K30和硝酸银溶于乙二醇中,配制获得NaHS溶液、PVP-K30溶液、AgNO3溶液;再量取一定量的TEOS,配置成TEOS与无水乙醇体积比为1:8的TEOS溶液,在室温下静置备用;步骤4:向烧瓶中加入一定量的乙二醇,加热至150℃并持续搅拌一段时间,然后依次向体系中滴加步骤3配制的NaHS溶液、PVP-K30溶液以及AgNO3溶液,搅拌得到AgNCs溶胶,再经过离心、洗涤后分散于无水乙醇中得到AgNCs溶液,备用;步骤5:取步骤4制备得到的AgNCs溶液滴加到无水乙醇中,接着滴加一定量的氨水调节体系pH值至8~9,再滴加少量TEOS溶液,持续搅拌2h后静置陈化,最后离心、洗涤,分散于无水乙醇中得到Ag@SiO2NCs溶液,备用;步骤6:将步骤2得到的Cs2SnI6粉末分散于无水乙醇中配制成浆料,然后将复合膜基底置于加热台上,将Cs2SnI6浆料与步骤5制备得到的Ag@SiO2NCs溶液使用喷枪以特定的顺序进行喷涂,即可得到Cs2SnI6基复合膜;步骤3中,NaHS溶液的浓度为3.03mmolL,PVP-K30溶液的浓度为20mgmL,AgNO3溶液的浓度为0.54molL;步骤4中,乙二醇与NaHS溶液的体积比为125:2,乙二醇与PVP-K30溶液的体积比为16:3,乙二醇与AgNO3溶液的体积比为16:1;步骤5中,氨水与TEOS溶液添加量体积比为18:1~9:1,静置陈化时间为12~24h;步骤6中,先喷涂一层Cs2SnI6浆料,再在Cs2SnI6浆料层的表面喷涂Ag@SiO2NCs溶液后获得的Cs2SnI6基复合膜;Cs2SnI6浆料的浓度为12.5mgmL,Ag@SiO2NCs溶液的浓度为80mgmL,Cs2SnI6浆料与Ag@SiO2NCs溶液的体积比为16:1~3:1。

全文数据:

权利要求:

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