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申请/专利权人：浙江巨磁智能技术有限公司
摘要：本发明属于微电子技术领域，它涉及一种高精度低温漂BGR的实现方式，包括偏置和启动电路与补偿总电路，补偿总电路包括一阶补偿电路和二阶补偿电路，一阶补偿电路，用于将通过的电流转换成一阶补偿电压，二阶补偿电路，用于将通过的两个三极管做成的二极管电压做差产生含温度系数的高阶项TlnT去抵消中的温度高阶项,与现有技术相比，本发明利用四输入运算放大器钳位产生高阶系数TlnT来消除一阶温补后的高阶项，从而得到一个高精度低温漂的BGR的方法，此方法不需要做大电阻的尺寸，减少了生产成本。
主权项：1.一种高精度低温漂BGR的实现方式，包括偏置和启动电路与补偿总电路，其特征在于：所述补偿总电路包括一阶补偿电路和二阶补偿电路，偏置和启动电路与一阶补偿电路连接，一阶补偿电路与二阶补偿电路连接，一阶补偿电路：用于将通过的电流转换成一阶补偿电压，二阶补偿电路：用于将通过的两个三极管做成的二极管电压做差产生含温度系数的高阶项TlnT去抵消通过电压的温度高阶项，一阶补偿电路包括单端运算放大器和与单端运算放大器并联的第一电阻元件、电容元件和第一三极管元件，所述单端运算放大器、第一电阻元件、电容元件和第一三极管元件呈矩阵形式，二阶补偿电路包括四输入运算放大器和与四输入运算放大器并联的第二电阻元件和第二三极管元件，电容元件连接四输入运算放大器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江巨磁智能技术有限公司 一种高精度低温漂BGR的实现方式
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