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申请/专利权人：西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
摘要：本发明公开了一种减小YIG单晶薄膜线宽用GGG基片的处理方法，属于微波铁氧体单晶薄膜制备领域，本发明通过热的偏磷酸进行二次抛光处理，工艺过程可控，易操作效率高，适用于批量制作；另外该方法可实现在保证GGG基片表面平整度同时，能有效均匀去除GGG基片表面加工损伤层，腐蚀去除厚度可到达μm级，消除基片加工缺陷对外延生长的YIG单晶薄膜品质的影响，外延生长的YIG单晶薄膜的铁磁共振线宽减小约30%，显著提升材料的微波性能。
主权项：1.一种减小YIG单晶薄膜线宽用GGG基片的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将GGG基片取出后置于无水乙醇中，超声处理；（2）将步骤（1）处理后的GGG基片固定到夹具上，然后转移至抛光炉的预热区，并在250～300℃温度下预热；（3）将步骤（2）处理后的GGG基片再移至热酸液中进行腐蚀抛光；（4）将步骤（3）处理后的GGG基片转移到200～250℃的氢氧化钠溶液中浸泡后，再在80～100℃的去离子水中浸泡清洗；（5）：步骤（4）处理后的GGG基片将转移至无水乙醇中超声10～15min后，在真空干燥箱中干燥处理后待用，以便后续直接用于制备超小线宽YIG单晶薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) 一种减小YIG单晶薄膜线宽用GGG基片的处理方法
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