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申请/专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
摘要：本发明涉及一种GGG磁制冷晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，第一步、溶解：得到离子混合溶液；第二步、沉淀：向离子混合溶液中加入添加剂，控制温度为20℃，加入饱和碳酸氢铵水溶液，至不再产生气体为止，将反应体系过滤，得到沉淀；第三步、烧结：将得到的沉淀加热，采用阶梯式缓慢增温，温度增加至1400℃采用搅拌桨进行搅拌，保持2h，得到多晶；第四步、提拉生长：长出单晶体。本发明中在进行提拉反应之前通过沉淀法制备多晶原料，然后再进行提拉生长，减少Ga203的挥发问题，提高单晶的光学质量；相对于单一液相共沉淀法和固相反应法，更易于控制产品质量，工序更加简单。
主权项：1.一种GGG磁制冷晶体的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、溶解：得到离子混合溶液；第二步、沉淀：向离子混合溶液中加入添加剂，控制温度为20℃，加入饱和碳酸氢铵水溶液，至不再产生气体为止，将反应体系过滤，得到沉淀；第三步、烧结：将得到的沉淀加热，采用阶梯式缓慢增温，温度增加至1400℃采用搅拌桨进行搅拌，保持2h，得到多晶；第四步、提拉生长：将烧结好的多晶加入提拉单晶炉中，对坩埚进行加热，抽真空至≤10Pa，充入氩气，加热至原料熔化，充入氧气，在熔体表面接籽晶提拉熔体，使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体；所述添加剂通过如下步骤制备：将三丙烯酸丙烷三甲醇酯和甲醇混合，在冰水浴、氮气保护条件下，加入氨基酸，加完后在温度为20℃条件下，搅拌1h，然后升温回流反应4h，反应结束后，旋蒸除去甲醇，得到添加剂。
全文数据：
权利要求：
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