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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：描述了一种物理气相沉积处理腔室。所述处理腔室包括：靶背板，所述靶背板在处理腔室的顶部部分中；基板支撑件，所述基板支撑件在所述处理腔室的底部部分中；沉积环，所述沉积环定位在所述基板支撑件的外周边处；和屏蔽物。所述基板支撑件具有支撑表面，所述支撑表面与所述靶背板间隔开某个距离以形成工艺腔。所述屏蔽物形成工艺腔的外边界。还描述了腔室内清洁方法。在一实施方式中，所述方法包括关闭处理腔室至工艺腔的底部气体流动路径；使惰性气体从所述底部气体流动路径流动；使反应物经由所述屏蔽物中的开口流入所述工艺腔中；和从所述工艺腔排出所述反应气体。
主权项：1.一种处理腔室，包括：靶背板，所述靶背板在所述处理腔室的顶部部分中；基板支撑件，所述基板支撑件在所述处理腔室的底部部分中，所述基板支撑件具有支撑表面，所述支撑表面与所述靶背板间隔开距离以形成工艺腔；沉积环，所述沉积环定位在所述基板支撑件的外周边处，所述沉积环具有外部部分，所述外部部分具有与轮廓相符的形状；和屏蔽物，所述屏蔽物形成所述工艺腔的外边界，所述屏蔽物具有在所述处理腔室的所述顶部部分中的屏蔽物顶端和在所述处理腔室的所述底部部分中的屏蔽物底端，所述顶端定位成围绕所述靶背板的周边并且所述底端定位成围绕所述基板支撑件的周边，所述底端包括与轮廓相符的表面，所述与轮廓相符的表面具有与所述沉积环的所述外部部分互补的形状，其中所述处理腔室的所述顶部部分包括顶部气体流动路径，所述顶部气体流动路径在所述靶背板的周边与所述屏蔽物的所述顶部之间，并且所述处理腔室的所述底部部分包括底部气体流动路径，所述底部气体流动路径在所述屏蔽物与所述沉积环之间。
全文数据：
权利要求：
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