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申请/专利权人：中国科学院精密测量科学与技术创新研究院

摘要：本发明公开了一种1H‑13C‑e三共振DNP极化探头，包括13C射频线圈、1H射频线圈、Helmholtz线圈模块、支撑装置、法兰盘以及微波波导管，支撑装置为两端开口的圆筒状，支撑装置的顶部与法兰盘底部连接，Helmholtz线圈模块包括两对Helmholtz线圈，每对Helmholtz线圈均包括两个共中心轴的Helmholtz线圈，Helmholtz线圈的线圈环为椭圆形。本发明与DNP实验仪器结合能够实现电子到1H核，1H核到13C核的极化增强转移，单探头实现双核的极化增强；在保持13C原本极化增强倍数的条件下，能够大幅度缩短13C的极化增强时间，提高DNP极化增强实验的效率。

主权项：1.一种1H-13C-e三共振DNP极化探头，包括13C射频线圈（2），其特征在于，还包括1H射频线圈（1）、Helmholtz线圈模块（4）、支撑装置（5）、法兰盘（6）、以及微波波导管（3），支撑装置（5）为两端开口的圆筒状，支撑装置（5）的顶部与法兰盘（6）底部连接，Helmholtz线圈模块（4）包括两对Helmholtz线圈，分别为第一对Helmholtz线圈和第二对Helmholtz线圈，第一对Helmholtz线圈和第二对Helmholtz线圈均包括两个共中心轴的Helmholtz线圈，Helmholtz线圈与支撑装置（5）的外侧壁设置的线圈支撑凸起（53）固定连接，第一对Helmholtz线圈的两个Helmholtz线圈的中心轴和第二对Helmholtz线圈的两个Helmholtz线圈的中心轴垂直，第一对Helmholtz线圈的两个Helmholtz线圈分布在支撑装置（5）左右两侧，第二对Helmholtz线圈的两个Helmholtz线圈分布在支撑装置（5）前后两侧，1H射频线圈（1）与第一对Helmholtz线圈的其中一个Helmholtz线圈位于支撑装置（5）同侧且共中心轴，13C射频线圈（2）与第二对Helmholtz线圈的其中一个Helmholtz线圈位于支撑装置（5）同侧且共中心轴，L型的微波波导管（3）的竖向管外端与法兰盘（6）上开设的微波接收孔（69）连接，微波波导管（3）的横向管外端与支撑装置（5）的侧壁的微波馈入孔（54）对齐固定，所述Helmholtz线圈模块（4）的各个Helmholtz线圈的线圈环均为椭圆形，Helmholtz线圈的长轴方向平行于支撑装置（5）的中心轴线，Helmholtz线圈的外形与支撑装置（5）的外壁形状适配，即Helmholtz线圈弯折贴合设置在支撑装置（5）外壁，所述13C射频线圈（2）绕的圈数比1H射频线圈（1）多，还包括密封腔体（9），密封腔体（9）为顶部开口且底部密封的圆筒状，1H射频线圈（1）、Helmholtz线圈模块（4）、支撑装置（5）、法兰盘（6）、13C射频线圈（2）、以及微波波导管（3）均设置在密封腔体（9）中，法兰盘（6）设置在密封腔体（9）顶部开口处，法兰盘（6）的周向侧壁与密封腔体（9）内壁贴合，法兰盘（6）顶面的法兰固定耳与密封腔体（9）顶部开口设置的腔体固定耳固定，密封腔体（9）底部设置有支撑凹槽（91），支撑装置（5）的底部卡设在支撑凹槽（91）中，所述密封腔体（9）内还设置有温度传感器（7）和加热器（8），法兰盘（6）的底部设置有传感器固定槽和加热器固定槽，温度传感器（7）和加热器（8）分别固定在对应的传感器固定槽和加热器固定槽中，传感器固定槽和加热器固定槽之间设置有一个信号线穿孔（66），所述法兰盘（6）底部还设置有1H线圈固定孔（62）和1H线圈固定槽（67），1H射频线圈（1）的两个线圈接头分别为第一1H线圈接头和第二1H线圈接头，第一固定块的形状和大小与1H线圈固定槽（67）的形状和大小相匹配，第一固定块过盈卡设在1H线圈固定槽（67）中，与第一1H线圈接头连接的线圈段被第一固定块压设固定在1H线圈固定槽（67）中，1H线圈固定孔（62）内设置有第一同轴线，第一同轴线的外壳与1H线圈固定孔（62）的内壁固定连接，1H射频线圈（1）的两个线圈接头分别与第一同轴线的两个线芯连接。

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