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申请/专利权人：微芯片技术股份有限公司
摘要：本发明公开了一种镶嵌薄膜电阻器TFR，例如使用单个添加的掩膜层在多晶硅‑金属电介质PMD层内形成的镶嵌薄膜电阻器模块，以及用于制造这种器件的方法。一种用于制造TFR结构的方法可包括：形成一对间隔开的TFR头部，该对间隔开的TFR头部形成为自对准硅化物多晶硅自对准多晶硅化物结构；将电介质层沉积在自对准多晶硅化物TFR头部之上；图案化并蚀刻沟槽，该沟槽在每个自对准多晶硅化物TFR头部的至少一部分之上侧向延伸，以及暴露每个自对准多晶硅化物TFR头部的表面；以及将TFR材料沉积到沟槽中并沉积到暴露的TFR头部表面上，从而形成桥接对间隔开的TFR头部的TFR层。
主权项：1.一种用于制造薄膜电阻器TFR结构的方法，所述方法包括：形成彼此间隔开的一对TFR头部，每个TFR头部包括自对准硅化物（salicide）结构；将电介质层沉积在所述自对准硅化物TFR头部之上；使用光平版印刷将光致抗蚀剂沟槽图案化成光致抗蚀剂层，所述图案化光致抗蚀剂沟槽在每个自对准硅化物TFR头部的至少一部分之上侧向延伸；蚀刻通过所述光致抗蚀剂沟槽并通过所述电介质层的至少一部分并且在所述自对准硅化物TFR头部处停止以定义单个TFR沟槽，使得每个自对准硅化物TFR头部的表面暴露在所述单个TFR沟槽中；以及将TFR材料沉积到所述单个TFR沟槽中并沉积到所述自对准硅化物TFR头部的暴露表面上，从而形成桥接一对间隔开的自对准硅化物TFR头部的TFR层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 微芯片技术股份有限公司 多晶硅-金属电介质中的镶嵌薄膜电阻器(TFR)及制造方法
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